(はじめに)
キオクシアホールディングス株式会社(以下「当社」という。)は、2019年3月1日付で、東芝メモリ株式会社(現キオクシア株式会社)を株式移転完全子会社とする単独株式移転により、新会社として発足しました。当社は、キオクシア株式会社を含む傘下会社の管理・監督機能を拡充しガバナンスの強化を図るとともに、M&Aを含むグループの経営戦略の策定、資源配分、リスク管理及び資金調達等の機能を担い、グループ全体の企業価値向上を目指します。一方、キオクシア株式会社は、より迅速な運営・意思決定を行う体制の構築を目指すとともに、これまで通りメモリ事業に関わる研究開発や製造、販売に注力します。
なお、2019年10月1日にブランド名をキオクシアに刷新したことに伴い、当社を含むグループ会社の社名変更を行っています(下記参照)。
一部を除き、2019年10月1日以降の新社名は下記となっており、本書において特記がない限り新社名にて記載しています。なお、下記の外国法人につきましては、各国における正式名称ではなく下記名称にて記載しています。
旧社名 |
新社名 |
東芝メモリホールディングス株式会社 |
キオクシアホールディングス株式会社 |
東芝メモリ株式会社 |
キオクシア株式会社 |
東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社 |
キオクシアアドバンスドパッケージ株式会社(注1) |
東芝メモリ岩手株式会社 |
キオクシア岩手株式会社 |
東芝メモリシステムズ株式会社 |
キオクシアシステムズ株式会社 |
東芝メモリエトワール株式会社 |
キオクシアエトワール株式会社 |
東芝メモリアメリカ社 |
キオクシアアメリカ社 |
東芝メモリヨーロッパ社 |
キオクシアヨーロッパ社 |
OCZストレージソリューションズ社 |
キオクシアテクノロジーUK社(注2) |
OCZイスラエル社 |
キオクシアイスラエル社(注2) |
東芝メモリアジア社(香港) |
キオクシアアジア社 |
東芝エレクトロニクス(中国)社 |
キオクシア中国社(注2) |
東芝メモリ韓国社 |
キオクシア韓国社 |
東芝メモリシンガポール社 |
キオクシアシンガポール社 |
東芝メモリ台湾社 |
キオクシア台湾社 |
東芝メモリ半導体台湾社 |
キオクシア半導体台湾社 |
(注)1.キオクシア株式会社は、2021年4月1日付でキオクシアアドバンスドパッケージ株式会社を吸収合併しました。
2.キオクシアテクノロジーUK社は2019年7月、キオクシアイスラエル社は2019年8月、キオクシア中国社は2020年2月にそれぞれ社名変更となっています。
|
国際会計基準 |
|||
決算年月 |
2022年3月 |
2023年3月 |
2024年3月 |
|
売上収益 |
(百万円) |
|
|
|
営業利益(△損失) |
(百万円) |
|
△ |
△ |
税引前利益(△損失) |
(百万円) |
|
△ |
△ |
親会社の所有者に帰属する当期利益(△損失) |
(百万円) |
|
△ |
△ |
親会社の所有者に帰属する当期包括利益 |
(百万円) |
|
△ |
△ |
親会社の所有者に帰属する持分 |
(百万円) |
|
|
|
資産合計 |
(百万円) |
|
|
|
1株当たり親会社所有者帰属持分 |
(円) |
|
|
|
基本的1株当たり当期利益(△損失) |
(円) |
|
△ |
△ |
希薄化後1株当たり当期利益(△損失) |
(円) |
|
△ |
△ |
親会社所有者帰属持分比率 |
(%) |
|
|
|
親会社所有者帰属持分当期利益率 |
(%) |
|
△ |
△ |
株価収益率 |
(倍) |
|
|
|
営業活動によるキャッシュ・フロー |
(百万円) |
|
|
|
投資活動によるキャッシュ・フロー |
(百万円) |
△ |
△ |
△ |
財務活動によるキャッシュ・フロー |
(百万円) |
△ |
△ |
|
現金及び現金同等物の期末残高 |
(百万円) |
|
|
|
従業員数 |
(人) |
|
|
|
(注)1.上記指標は、IFRSにより作成された連結財務諸表に基づいております。
2.当社は、設立初年度の連結財務諸表よりIFRSを適用していることから、IFRS第1号「国際財務報告基準の初度適用」の目的において要求事項や免除規定を適用しておりません。
3.株価収益率については、当社株式は非上場であるため、記載しておりません。
4.2022年3月期、2023年3月期及び2024年3月期のIFRSに基づく連結財務諸表については、金融商品取引法第193条の2第1項の規定に基づき、PwC Japan有限責任監査法人の監査を受けております。なお、2023年12月1日付で、PwCあらた有限責任監査法人は、PwC京都監査法人と合併し、名称をPwC Japan有限責任監査法人に変更しております。
5.従業員数は、正規従業員及び期間の定めのある雇用契約に基づく労働者のうち1年以上働いている又は働くことが見込まれる従業員(当社グループからグループ外への出向者を除き、グループ外から当社グループへの出向者を含む。)の合計数であります。
|
日本基準 |
|||||
決算年月 |
2020年3月 |
2021年3月 |
2022年3月 |
2023年3月 |
2024年3月 |
|
営業収益 |
(百万円) |
|
|
|
|
|
経常利益(△損失) |
(百万円) |
△ |
|
|
|
|
当期純利益 |
(百万円) |
|
|
|
|
|
資本金 |
(百万円) |
|
|
|
|
|
発行済株式総数 |
(株) |
|
|
|
|
|
普通株式 |
|
|
|
|
|
|
転換型株式 |
|
|
|
|
|
|
優先株式 |
|
|
|
|
|
|
甲種優先株式 |
|
|
|
|
|
|
乙種優先株式 |
|
|
|
|
|
|
純資産額 |
(百万円) |
|
|
|
|
|
総資産額 |
(百万円) |
|
|
|
|
|
1株当たり純資産額 |
(円) |
|
|
|
|
|
1株当たり配当額 |
(円) |
|
|
|
|
|
普通株式 |
|
|
|
|
|
|
(うち1株当たり中間配当額) |
( |
( |
( |
( |
( |
|
転換型株式 |
|
|
|
|
|
|
(うち1株当たり中間配当額) |
( |
( |
( |
( |
( |
|
甲種優先株式 |
|
|
|
|
|
|
(うち1株当たり中間配当額) |
( |
( |
( |
( |
( |
|
乙種優先株式 |
|
|
|
|
|
|
(うち1株当たり中間配当額) |
( |
( |
( |
( |
( |
|
1株当たり当期純利益(△損失) |
(円) |
|
△ |
|
|
△ |
潜在株式調整後1株当たり当期純利益 |
(円) |
|
|
|
|
|
自己資本比率 |
(%) |
|
|
|
|
|
自己資本利益率 |
(%) |
|
|
|
|
|
株価収益率 |
(倍) |
|
|
|
|
|
配当性向 |
(%) |
|
|
|
|
|
従業員数 |
(人) |
|
|
|
|
|
(注)1.2020年3月期、2022年3月期及び2023年3月期の潜在株式調整後1株当たり当期純利益については、潜在株式は存在するものの、当社は非上場であり、期中平均株価が把握出来ないため、記載しておりません。2021年3月期及び2024年3月期の潜在株式調整後1株当たり当期純利益については、1株当たり当期純損失であり、また、潜在株式は存在するものの、当社は非上場であり、期中平均株価が把握出来ないため、記載しておりません。
2.株価収益率については、当社株式は非上場であるため、記載しておりません。
3.普通株式への配当を実施していないため、配当性向について記載しておりません。
4.2023年3月期及び2024年3月期の財務諸表については、金融商品取引法第193条の2第1項の規定に基づき、PwC Japan有限責任監査法人の監査を受けております。2020年3月期、2021年3月期及び2022年3月期の財務諸表については、金融商品取引法第193条の2第1項の規定に準じて、PwC Japan有限責任監査法人より監査を受けております。なお、2023年12月1日付で、PwCあらた有限責任監査法人は、PwC京都監査法人と合併し、名称をPwC Japan有限責任監査法人に変更しております。
5.従業員数は、正規従業員及び期間の定めのある雇用契約に基づく労働者のうち1年間以上働いている又は働くことが見込まれる従業員(当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含む。)の合計数であります。
6.1株当たり情報については転換型株式を普通株式とみなして算出しております。なお、当社は2020年8月27日付で株主との合意により転換型株式の全部について普通株式に内容の変更を行っております。
7.当社は、2020年8月5日開催の取締役会の決議により、2020年8月27日付で普通株式1株につき60株の株式分割を実施しております。その結果、普通株式の発行済株式総数は、転換型株式の内容変更も併せて517,500,000株となっています。そこで、転換型株式を普通株式とみなした上で、2021年3月期の期首に当該株式分割が行われたと仮定して、「1株当たり純資産額」、「1株当たり当期純利益(△損失)」及び「潜在株式調整後1株当たり当期純利益」を算定しています。また、転換型株式を普通株式とみなした上で、東京証券取引所自主規制法人(現 日本取引所自主規制法人)の引受担当者宛通知「『新規上場申請のための有価証券報告書(Ⅰの部)』の作成上の留意点について」(平成24年8月21日付東証上審第133号)に基づき、2020年3月期の期首に当該株式分割が行われたと仮定して、当該株式分割後の普通株式の発行済株式総数により算定した場合の1株当たり指標の推移を参考までに掲げると、以下のとおりとなります。ただし、2020年3月期の当該1株当たり指標の数値については、PwC Japan有限責任監査法人の監査を受けておりません。
決算年月 |
2020年3月 |
2021年3月 |
2022年3月 |
2023年3月 |
2024年3月 |
|
1株当たり純資産額 |
(円) |
1,690.32 |
1,667.03 |
1,643.71 |
1,644.89 |
1,620.40 |
1株当たり当期純利益(△損失) |
(円) |
19.35 |
△19.38 |
1.84 |
1.18 |
△0.89 |
潜在株式調整後1株当たり当期純利益 |
(円) |
- |
- |
- |
- |
- |
1株当たり配当額 |
(円) |
|
|
|
|
|
普通株式 |
- |
- |
- |
- |
- |
|
(うち1株当たり中間配当額) |
(-) |
(-) |
(-) |
(-) |
(-) |
|
転換型株式 |
- |
- |
- |
- |
- |
|
(うち1株当たり中間配当額) |
(-) |
(-) |
(-) |
(-) |
(-) |
|
甲種優先株式 |
- |
4,179,871 |
4,179,871 |
- |
4,349,156 |
|
(うち1株当たり中間配当額) |
(-) |
(-) |
(-) |
(-) |
(-) |
|
乙種優先株式 |
- |
4,446,400 |
4,446,400 |
- |
4,637,595 |
|
(うち1株当たり中間配当額) |
(-) |
(-) |
(-) |
(-) |
(-) |
なお、1株当たり当期純利益の算定上、普通株主に帰属しない留保利益から行われる優先配当額を当期純利益から控除することとされているため、2021年3月期及び2024年3月期は1株当たり当期純損失になっております。
「はじめに」に記載した通り、当社は、東芝メモリ株式会社(現キオクシア株式会社)からの単独株式移転により、2019年3月1日に設立されました。当社は2019年10月1日に東芝メモリホールディングス株式会社からキオクシアホールディングス株式会社に社名を変更しました。
東芝メモリ株式会社(以下「旧東芝メモリ株式会社」という。)は、2017年2月に株式会社東芝の100%子会社として設立後、株式会社東芝の社内カンパニーであるストレージ&デバイスソリューション社のメモリ事業(フラッシュメモリ及び関連製品(SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く。))を会社分割により承継しました。旧東芝メモリ株式会社は、2018年8月1日に親会社である株式会社Pangeaを合併存続会社とする吸収合併を実施するとともに、株式会社Pangeaは東芝メモリ株式会社に社名変更しました。更に、2019年10月1日の当社の社名変更に伴い、社名をキオクシア株式会社に変更しました。キオクシアとは、日本語の「記憶(KIOKU)」と、ギリシャ語の「価値(AXIA)」に由来します。メモリ事業を担う企業グループとして、デジタル社会の未来を加速し、世界に新たな価値を創造していきます。
以下では、旧東芝メモリ株式会社及びキオクシア株式会社の沿革についても記載しております。また、旧東芝メモリ株式会社設立前と設立以後に分けて記載し、設立前については株式会社東芝における旧東芝メモリ株式会社の事業に関係する事項について参考情報として記載しています。
当社の事業運営主体の変遷を図示すると、次のようになります。
(1)旧東芝メモリ株式会社設立前(参考情報)
年月 |
概要 |
1987年4月 |
世界初のNAND型フラッシュメモリを発明 |
1991年4月 |
フラッシュメモリを量産 |
1992年1月 |
四日市工場を設立 |
2000年5月 |
SanDisk Corporation(現在はWestern Digital Corporationの子会社であるSanDisk Limited Liability Company)(以下Western Digital Corporationとその関係会社を合わせて「Western Digitalグループ」という。)とフラッシュメモリについて協業を開始 |
2001年11月 |
多値技術を利用した160ナノメートル(以下「nm」という。)1ギガビットNAND(2ビット/セル(MLC))を製品化 |
2001年12月 |
汎用DRAM事業の撤退を決定 |
2002年4月 |
四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Western Digitalグループと共同出資でフラッシュビジョン㈲(注1)を設立 |
2005年2月 |
四日市工場で300mmクリーンルームである第3製造棟を稼動 |
2007年6月 |
3次元フラッシュメモリ技術(注2)を開発 |
2007年9月 |
四日市工場第4製造棟の竣工 |
2009年2月 |
4ビット/セル(QLC)をWestern Digitalグループと共同開発 |
2011年7月 |
㈱東芝の社内カンパニーとして、セミコンダクター&ストレージ社(メモリ・SSD事業含む)を設置 |
|
四日市工場第5製造棟の竣工 |
2014年4月 |
15nmプロセスを用いた128ギガビットNAND型フラッシュメモリを量産 |
2015年3月 |
48層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™のサンプル出荷開始 |
2016年4月 |
社内カンパニー名をストレージ&デバイスソリューション社に変更 |
年月 |
概要 |
2016年7月 |
四日市工場の新第2製造棟の竣工 |
|
64層積層プロセスを用いた第3世代BiCS FLASH™のサンプル出荷開始 |
2017年1月 |
メモリ事業分社化の方針決定 |
2017年2月 |
64層積層プロセスを用いた512ギガビットBiCS FLASH™のサンプル出荷開始 |
(注)1.同社は2013年2月に清算しております。
2.3次元フラッシュメモリ技術とは、垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げる3次元積層構造を取り入れる技術をいい、それを取り入れたフラッシュメモリを3次元フラッシュメモリといいます。(以下同じです。)3次元フラッシュメモリは、従前の平面構造のフラッシュメモリと比べて大容量化、高速化、信頼性向上、省電力化を実現しております。
(2)旧東芝メモリ株式会社設立以後
年月 |
概要 |
2017年2月 |
㈱東芝のメモリ・SSD事業の承継を目的として、旧東芝メモリ㈱を設立 |
2017年4月 |
㈱東芝から、㈱東芝の社内カンパニーであるストレージ&デバイスソリューション社のメモリ事業(SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く)を会社分割により承継 |
2017年4月 |
㈱東芝からの株式譲受により、国内会社3社(注1)海外会社3社(注2)を関係会社化 |
2017年5月 |
64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したNVMe™(注3)SSD(「XG5シリーズ」)の出荷を開始 |
|
香港地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアジア社(現キオクシアアジア社)を設立 |
|
北米及び南米地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアメリカ社(現キオクシアアメリカ社)を設立 |
2017年6月 |
4ビット/セル(QLC)技術を用いたBiCS FLASH™を開発、試作品の提供開始 |
|
96層積層プロセスを適用した第4世代BiCS FLASH™を試作 |
|
シリコン貫通電極(TSV)技術を適用した3ビット/セル(TLC)のBiCS FLASH™の試作品の提供開始 |
2017年7月 |
欧州地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社(注4)が東芝メモリヨーロッパ社(現キオクシアヨーロッパ社)を設立 |
|
連結子会社である東芝メモリアジア社は、東芝エレクトロニクス・アジア社(注4)よりメモリ関連事業を譲受 |
|
ASEAN地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリシンガポール社(現キオクシアシンガポール社)を設立 |
|
韓国地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリ韓国社(現キオクシア韓国社)を設立 |
2017年8月 |
64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載した業界初のエンタープライズSSD(「PM5シリーズ」「CM5シリーズ」)のサンプル出荷開始 |
2017年9月 |
中国地域でのメモリ製品拡販を目的として、連結子会社の東芝エレクトロニクス(中国)社(現キオクシア中国社)が東芝電子部品(上海)社を設立 |
|
連結子会社である東芝メモリ韓国社(現キオクシア韓国社)は、東芝エレクトロニクス韓国社(注4)よりメモリ関連事業を譲受 |
|
岩手県北上市の北上工業団地エリアに新規拠点の立ち上げを発表 |
2017年10月 |
東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社(注4)から、東芝メモリヨーロッパ社(現キオクシアヨーロッパ社)の全持分を取得し連結子会社化 |
|
東芝メモリアメリカ社(現キオクシアアメリカ社)は、東芝アメリカ電子部品社(注4)よりメモリ関連事業を譲受 |
|
東芝電子部品(上海)社が東芝エレクトロニクス(中国)社よりメモリ関連事業を譲受 |
|
東芝メモリシンガポール社(現キオクシアシンガポール社)が東芝エレクトロニクス・アジア社(注4)よりメモリ関連事業を譲受 |
|
東芝メモリアメリカ社(現キオクシアアメリカ社)による東芝アメリカ電子部品社からのメモリ関連事業の譲受及び東芝メモリヨーロッパ社(現キオクシアヨーロッパ社)の連結子会社化に伴い、SSD関連事業を目的とするOCZイスラエル(現キオクシアイスラエル社)、OCZストレージソリューションズ(現キオクシアテクノロジーUK社)を連結子会社化 |
2017年11月 |
東芝メモリ台湾社(現キオクシア台湾社)の株式を東芝デバイス&ストレージ㈱(注4)より取得し連結子会社化 |
年月 |
概要 |
2017年12月 |
岩手県北上市における製造拠点の立ち上げに向けて、東芝メモリ岩手㈱(現キオクシア岩手㈱)を設立 |
2018年1月 |
㈱東芝からの株式譲受により、フラッシュアライアンス有限会社、フラッシュフォワード合同会社、フラッシュパートナーズ有限会社の3社(以下「製造合弁会社3社」という。)(注5)を関連会社化 |
|
旧東芝メモリ㈱グループの開発センター清掃業務及びヘルスキーパーを目的として、東芝メモリエトワール㈱(現キオクシアエトワール㈱)を設立 |
2018年4月 |
64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充 |
2018年6月 |
㈱東芝は、旧東芝メモリ㈱の全株式をBain Capital Private Equity, L.P.(そのグループを含む)を軸とする企業コンソーシアムにより組成される買収目的会社である㈱Pangeaへ譲渡 |
2018年7月 |
サーバー向けの新しいコンセプトのSAS SSDの発売 |
2018年8月 |
㈱Pangeaは、同社を存続会社として旧東芝メモリ㈱と合併し、同日に「東芝メモリ㈱」に社名変更(現キオクシア㈱) |
2018年9月 |
四日市工場の第6製造棟とメモリ開発センターの竣工 |
(注)1.東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社(2019年10月にキオクシアアドバンスドパッケージ株式会社に商号変更を実施、2021年4月にキオクシア株式会社に吸収合併)、東芝メモリシステムズ株式会社(現キオクシアシステムズ株式会社)(いずれも連結子会社)、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス株式会社(持分法適用関連会社)の3社です。
2.東芝エレクトロニクス中国社(現キオクシア中国社)、東芝メモリ半導体台湾社(現キオクシア半導体台湾社)他1社の3社です。
3.NVMe™はNVM Express, Inc.の商標です。
4.株式会社東芝の関係会社です。
5.当社グループへの製造委託等を目的とする、キオクシア株式会社とWestern Digitalグループが共同出資する会社です。
(3)当社設立以後
年月 |
概要 |
2019年3月 |
東芝メモリ㈱(現キオクシア㈱)からの単独株式移転により、東芝メモリホールディングス㈱(現キオクシアホールディングス㈱)を設立 |
2019年5月 |
大容量データへの高速アクセスに対応した2テラバイトのクライアントSSDプレミアムモデル(XG6-P)の開発 |
2019年6月 |
㈱日本政策投資銀行に対する非転換社債型優先株式の発行及び金融機関からのシンジケートローンによる資金調達を実行 |
2019年8月 |
ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」のサンプル出荷開始 |
|
新しいリムーバブルPCIe®(注1)/NVMe™メモリデバイス「XFMEXPRESS™」を開発 |
|
台湾・LITE-ON社のSSD事業の買収計画を公表 |
2019年10月 |
ブランド名称をキオクシアに刷新したことに伴い、当社を含むグループ会社の社名変更(注2) |
|
キオクシア㈱北上工場第1製造棟の竣工 |
2020年1月 |
112層積層プロセスを適用した第5世代BiCS FLASH™を試作 |
2020年3月 |
キオクシア㈱は、東芝中国社(注3)より、キオクシア中国社の株式を譲受、完全子会社化 |
|
キオクシア㈱は、東芝電子部品(上海)社の保有株式を全て東芝デバイス&ストレージ㈱(注3)に売却 |
2020年7月 |
キオクシア㈱は、台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社であるSolid State Storage Technology Corporationとその関係会社の全株式を取得 |
2021年2月 |
162層積層プロセスを適用した第6世代BiCS FLASH™を試作 |
2021年4月 |
キオクシア㈱は、キオクシアアドバンスドパッケージ㈱を吸収合併 |
2021年9月 |
PCIe® 4.0対応ストレージクラスメモリ(SCM)搭載SSDをサンプル出荷 |
2022年1月 |
4ビット/セル(QLC)技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリをサンプル出荷 |
年月 |
概要 |
2022年6月 |
キオクシア㈱は、東芝デジタルソリューションズ㈱(注3)より、中部東芝エンジニアリング㈱の株式を譲受、完全子会社化、キオクシアエンジニアリング㈱に社名変更 |
2022年10月 |
四日市工場第7製造棟の竣工 |
2022年11月 |
大容量ストレージを活用した記憶検索型AIによる画像分類技術を開発 |
2023年3月 |
218層積層プロセスを適用した第8世代BiCS FLASH™を試作 |
2023年6月 |
横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロントの稼働開始 |
2023年8月 |
キオクシアエネルギー・マネジメント㈱をキオクシア㈱からの会社分割により設立 |
2023年8月 |
エンタープライズ・データセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe™ SSDのサンプルを出荷 |
2024年1月 |
車載機器向けUFS Ver.4.0準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプルを出荷 |
2024年4月 |
メモリ技術研究所を再編し、先端技術研究所を新設 |
2024年7月 |
第8世代BiCS FLASH™ 2Tb QLC製品をサンプル出荷 |
2024年7月 |
北上工場第2製造棟の建屋完成 |
(注)1.PCIe®は、PCI-SIGの登録商標です。PCIe®とは、SSDのインターフェースの規格で、従来のSATAより、高速のデータ転送が可能です。
2.キオクシアテクノロジーUK社は2019年7月、キオクシアイスラエル社は2019年8月、キオクシア中国社は2020年2月にそれぞれ社名変更となっております。
3.株式会社東芝の関係会社です。
当社グループは、本書提出日現在、当社、連結子会社22社(国内7社、海外15社)及び関連会社等6社(国内4社、海外2社)により構成されています。当社グループは、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行っています。当社グループは、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行う、世界最大(注)のフラッシュメモリ専業プレイヤーです。
(注) 出典:TechInsights Inc.“NAND Market Report Q3 2024”。2023年の売上・物量ベース。
当社グループの報告セグメントは「メモリ事業」単一でありますが、売上収益を製品の用途に応じたアプリケーション別に、「SSD & ストレージ」、「スマートデバイス」及び「その他」に区分しております。「SSD & ストレージ」には主にPC、データセンター、エンタープライズ向けSSD製品及びメモリ製品が含まれております。「スマートデバイス」にはスマートフォン、タブレット、テレビ等の民生機器、車載、産業機器等の用途で使用される制御機能付きの組み込み式メモリ製品が含まれています。「その他」にはSDメモリカード、USBメモリ等のリテール向け製品及び製造合弁会社3社経由で計上されるWestern Digitalグループ向けの売上収益等が含まれています。
当社グループ各社の報告セグメントにおける位置付けと製品分野別の事業内容は以下のとおりです。
(本書提出日現在) |
報告セグメント |
当社及び関係会社の位置付け |
|||
製造 |
販売 |
研究開発 |
その他サービス |
|
メモリ事業 |
キオクシア㈱、キオクシア岩手㈱、キオクシアエンジニアリング㈱、キオクシアエネルギー・マネジメント㈱、キオクシア半導体台湾社、Solid State Storage Technology Corporation、フラッシュパートナーズ㈲、フラッシュアライアンス㈲、フラッシュフォワード合同会社、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス㈱ |
キオクシア㈱、キオクシアアメリカ社、キオクシアヨーロッパ社、キオクシアアジア社、キオクシア中国社、キオクシア韓国社、キオクシアシンガポール社、キオクシア台湾社、Solid State Storage Technology Corporation |
キオクシア㈱、キオクシアエンジニアリング㈱、キオクシアシステムズ㈱、キオクシアテクノロジーUK社、キオクシアイスラエル社、Solid State Storage Technology Corporation |
キオクシアエトワール㈱ |
メモリ事業ではメモリ製品を開発・製造・販売しています。フラッシュメモリとは、当社グループが1987年に世界で初めて開発し世界標準となった不揮発性半導体メモリ(注1)であり、大容量のデータ保存を可能にする記憶用デバイスです。スマートフォンで写真・動画などを保存するために使われるほか、身近な電子機器やデータセンター等においても、欠かすことのできないコアデバイス(基幹部品)となっています。当社グループは市場の要求に応えるために、フラッシュメモリの微細化(注2)による大容量化、及びコスト低減を推進してきました。もっとも、極度の微細化には電子同士が干渉しエラーが起きやすくなるという課題がありました。そこで当社グループではメモリセルを積み上げることで干渉を防ぐ積層化技術(注3)により、大容量化と信頼性の向上、低消費電力化を実現したBiCS FLASH™を開発しました。本書提出日現在は第8世代BiCS FLASH™を量産しています。第8世代BiCS FLASH™には、高メモリ密度の実現により高性能動作を図るため、CBA(CMOS directly Bonded to Array)(注4)とOPS(On Pitch SGD)(注5)という新技術が用いられています。近年、フラッシュメモリ市場においては、データセンター、エンタープライズ向けSSDの需要が拡大しており、これまで以上に大容量化、信頼性の向上、低消費電力化が求められています。当社グループは、更なる大容量化、高速化に向けた次世代の半導体メモリの開発も進めています。
フラッシュメモリチップは、当社グループの四日市工場及び北上工場において製造しています。半導体は材料となるシリコンウエハー上に微細な集積回路を作りこむため工程は数百に及び、製造プロセスの効率化は至上命題です。四日市工場及び北上工場では、生産効率の向上と生産コストの低減に向けた生産ラインの自動化を徹底しており、特に四日市工場では2022年10月に竣工した四日市第7製造棟を含む6つの製造棟を棟間搬送で連結する統合生産体制を確立しております。さらに、高い生産効率を実現するため、開発と量産の拠点一体化、AI・ビッグデータを活用したスマートファクトリー化も進めております。
また、今後も続くと想定される3次元フラッシュメモリの需要に継続的に対応するため、BiCS FLASH™の生産能力の増強を目的として、2022年4月から北上工場第2製造棟(K2棟)の建設を開始し、その建屋が2024年7月に完成しました。K2棟の稼働は2025年秋を見込んでいます。四日市既存製造棟と同様に、地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、最新の省エネ製造設備の導入や再生可能エネルギーの利用などで環境面も重視した工場となる予定です。また、四日市工場と共に人工知能(AI)を活用した生産システムの導入などを推進し、全社製造オペレーションの生産性及びフラッシュメモリ製品の品質をさらに向上させます。今後も大容量化に向けた技術開発、生産体制の拡大、コントローラ(ICチップ/ファームウェア)開発等の強化により、技術力とコスト競争力の両面における長期的な優位性の確保に努めてまいります。
なお、当社グループは、Western Digitalグループとの間で製造合弁契約を締結し、キオクシア株式会社とWestern Digitalグループが共同出資する製造合弁会社3社を設立しています。合弁契約に基づき、製造合弁会社3社が当社グループ及びWestern Digitalグループからの資金借り入れ又は製造合弁会社3社によるリース契約により生産設備を調達し、当社グループの四日市工場及び北上工場に設置、キオクシア株式会社が製造合弁会社3社から製造委託を受け、無償貸与された生産設備にて生産をしております。当社グループとWestern Digitalグループは、合弁事業を通じて四日市工場と北上工場の生産能力合計の約80%を共有し、当社グループが残りの約20%を単独で所有しています。合弁契約に基づき、当社グループとWestern Digitalグループは、それぞれ製造合弁会社3社が所有する生産能力の各半分(すなわち、上記2工場の生産能力合計の各約40%)を割り当てられている一方、当社グループは上記2工場の運営を行い、製造ノウハウを有しています。また、当社グループは、製造合弁会社3社各社の議決権の50.1%を所有しており、IFRSに基づく共同支配事業として、その資産、負債、収益及び費用の50%を連結財務諸表に計上しています。
SSD & ストレージの主要製品であるSSD(Solid State Drive)は、半導体メモリ(フラッシュメモリ)を記憶素子とするストレージ製品です。HDDに比べて読み出し性能、衝撃・振動等の耐環境性、静寂性に優れ、待機時の消費電力が低いことも特徴の一つです。クラウドサービス、5G、IoTの拡大やAIを搭載したスマートフォンやPC、データセンターを含むAI関連の機器やサービスの普及等により、今後も成長が見込まれています。当社グループはクライアント及びエンタープライズ製品において最先端PCIe®製品を他社に先駆けて上市し、市場における優位性を確立しているものと認識しています。また、自社製フラッシュメモリを活用し、一般汎用品から高付加価値品まで幅広いラインナップを展開しています。
スマートデバイスにおいては、スマートフォン、タブレット、ウェアラブルデバイス、テレビ等の民生機器、車載、産業機器など、幅広いアプリケーションで利用される制御機能付きの組み込み式メモリ製品群に注力しています。特にスマートフォン向けメモリ製品の市場は依然として規模が大きく、成長しているアプリケーションであり、当社グループにとって重要なマーケットとなっております。
また、その他には、SDメモリカード、USBメモリ等のリテール向け製品及び製造合弁会社3社経由で計上されるWestern Digitalグループ向けの売上収益等が含まれます。
今後も製品ラインアップの強化とサポート体制の強化により、市場でのプレゼンス向上を目指します。
なお、当社は特定上場会社等に該当し、インサイダー取引規制の重要事実の軽微基準のうち、上場会社の規模との対比で定められる数値基準については連結ベースの計数に基づいて判断することとなります。
アプリケーション別当社グループ売上収益比率(2024年3月期)(注6)
(注)1.不揮発性半導体メモリとは、電源を切っても記憶が消えないメモリです。
2.微細化とは、メモリチップの中の回路線幅を狭くすることでメモリセル(1ビットの情報を保持するために必要な回路構成)の面積を縮小する技術です。
3.積層化技術とは、メモリセルを多層構造にする技術です。
4.CBAとは、メモリセルの制御を担うCMOS回路とメモリセルアレイを2枚のウエハーに別々に作製し、その後2枚のウエハーを貼り合わせる技術です。
5.OPSとは、選択ゲート分離体を、メモリ機能を持つメモリストリング間に配置し、ダミーメモリストリングを削除することで、メモリ密度を高める技術です。
6.小数点以下第2位を四捨五入しております。
(事業系統図)
○印は連結子会社、※印は関連会社等です。
(注) キオクシア株式会社及びキオクシアシステムズ株式会社のほか、キオクシアエンジニアリング株式会社において研究開発活動を行っています。また、キオクシアイスラエル社とキオクシアテクノロジーUK社においてはSSDソフトウェア・SSD製品に係る研究開発活動を、Solid State Storage Technology CorporationにおいてはSSD製品に係る研究開発活動を行っています。
(2024年3月31日時点) |
名称 |
住所 |
資本金 |
主要な事業の内容 |
議決権の所有又は被所有割合 (%) |
関係内容 |
|
役員の兼任等 |
営業上の取引他 |
|||||
(連結子会社) |
|
|
|
|
|
|
キオクシア㈱ (注1,2) |
東京都港区 |
10,000 百万円 |
メモリ・SSD製品の研究、開発、設計、製造及び販売等 |
100.0 |
有 |
資金の貸付 経営指導 |
キオクシア岩手㈱ (注3) |
岩手県北上市 |
10 百万円 |
メモリ製品の製造 |
100.0 [100.0] |
無 |
なし |
キオクシアエンジニアリング㈱(注3) |
愛知県名古屋市 |
200 百万円 |
メモリ製品の開発、設計、製造及びCIM開発等のエンジニアリング業務受託 |
100.0 [100.0] |
無 |
なし |
キオクシアエネルギー・マネジメント㈱ (注3) |
三重県四日市市 |
10 百万円 |
エネルギーマネジメント事業 |
100.0 [100.0] |
無 |
なし |
キオクシアシステムズ㈱(注3) |
神奈川県横浜市 栄区 |
100 百万円 |
メモリ製品の設計・開発、顧客サポート等 |
100.0 [100.0] |
無 |
なし |
キオクシアエトワール㈱(注3) |
三重県四日市市 |
20 百万円 |
開発センター清掃業務、ヘルスキーパー |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
キオクシアアメリカ社 (注1、2、3) |
米国 カリフォルニア州 |
- |
メモリ・SSD製品の販売 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
キオクシアヨーロッパ社(注3) |
ドイツ ノルトライン ヴェストファーレン州 |
25 千ユーロ |
メモリ・SSD製品の販売 |
100.0 [100.0] |
無 |
なし |
キオクシアテクノロジーUK社(注3) |
英国 オックスフォードシャー州 |
1 ポンド |
SSD製品の開発 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
キオクシアイスラエル社 (注3) |
イスラエル テルアビブ |
3,555 千新シェケル |
SSD製品向けソフトウェアの開発 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
キオクシアアジア社 (注3) |
中国香港 |
1,000 千香港ドル |
メモリ・SSD製品の販売 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
キオクシア中国社 (注1、2、3) |
中国上海 |
58,363 千人民元 |
メモリ・SSD製品の販売 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
キオクシア韓国社 (注3) |
韓国ソウル市 |
3,000 百万ウォン |
メモリ・SSD製品の販売 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
キオクシアシンガポール社(注3) |
シンガポール国 シンガポール |
1,500 千米ドル |
メモリ・SSD製品の販売 |
100.0 [100.0] |
無 |
なし |
キオクシア台湾社 (注1,2,3) |
台湾台北市 |
3,066,657 千台湾ドル |
メモリ・SSD製品の販売 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
名称 |
住所 |
資本金 |
主要な事業の内容 |
議決権の所有又は被所有割合 (%) |
関係内容 |
|
役員の兼任等 |
営業上の取引他 |
|||||
キオクシア半導体台湾社(注3) |
台湾台北市 |
28,000 千台湾ドル |
メモリ後工程における生産外注委託品の生産管理 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
Solid State Storage Technology Corporation (注1,3) |
台湾台北市 |
2,925,704 千台湾ドル |
SSD製品の製造、販売及び研究開発 |
100.0 [100.0] |
有 |
なし |
その他 5社(注1) |
|
|
|
|
|
|
(関連会社等) |
|
|
|
|
|
|
フラッシュパートナーズ㈲(注3,4) |
三重県四日市市 |
50 百万円 |
メモリ製品製造委託及び当社グループ等への製品販売 |
50.1 [50.1] |
有 |
なし |
フラッシュアライアンス㈲(注3,4) |
三重県四日市市 |
3 百万円 |
メモリ製品製造委託及び当社グループ等への製品販売 |
50.1 [50.1] |
有 |
なし |
フラッシュフォワード合同会社(注3,4) |
三重県四日市市 |
10 百万円 |
メモリ製品製造委託及び当社グループ等への製品販売 |
50.1 [50.1] |
有 |
なし |
ディー・ティー・ファインエレクトロニクス㈱(注3) |
神奈川県川崎市 幸区 |
490 百万円 |
半導体製造用フォトマスクの製造及び販売 |
35.0 [35.0] |
有 |
なし |
その他 2社 |
|
|
|
|
|
|
(その他の関係会社) |
|
|
|
|
|
|
㈱東芝(注5) |
東京都港区 |
201,449 百万円 |
電気機械器具製造業 |
(40.6) |
無 |
なし |
(その他の関係会社の親会社) |
|
|
|
|
|
|
TBJH㈱(注5) |
東京都千代田区 |
50 百万円 |
有価証券の取得及び保有等 |
(40.6) [40.6] |
無 |
なし |
TBJホールディングス㈱(注5) |
東京都千代田区 |
50 百万円 |
有価証券の取得及び保有等 |
(40.6) [40.6] |
無 |
なし |
(注)1.特定子会社に該当します。なお、(連結子会社)その他に含まれる会社のうち特定子会社に該当する会社は、横浜大船特定目的会社です。
2.キオクシア株式会社、キオクシアアメリカ社、キオクシア台湾社、キオクシア中国社については、売上高(連結会社相互間の内部売上高を除く。)の連結売上収益に占める割合が10%を超えています。
キオクシア株式会社
の主要な損益情報等 ① 売上高 980,137百万円
② 営業利益 △166,427百万円
③ 経常利益 △198,458百万円
④ 当期純利益 △342,119百万円
⑤ 資産合計 2,084,180百万円
⑥ 純資産合計 478,346百万円
キオクシアアメリカ社
の主要な損益情報等 ① 売上高 402,573百万円
② 営業利益 5,647百万円
③ 経常利益 4,704百万円
④ 当期純利益 4,155百万円
⑤ 資産合計 112,849百万円
⑥ 純資産合計 21,639百万円
キオクシア台湾社
の主要な損益情報等 ① 売上高 124,310百万円
② 営業利益 985百万円
③ 経常利益 3,943百万円
④ 当期純利益 3,730百万円
⑤ 資産合計 40,574百万円
⑥ 純資産合計 16,350百万円
キオクシア中国社
の主要な損益情報等 ① 売上高 116,535百万円
② 営業利益 2,069百万円
③ 経常利益 1,053百万円
④ 当期純利益 823百万円
⑤ 資産合計 21,453百万円
⑥ 純資産合計 3,513百万円
3.議決権の所有又は被所有割合の[ ]は、間接所有割合又は間接被所有割合で内数です。
4.関連会社等には、共同支配事業を含んでいます。
5.議決権の所有又は被所有割合の( )は、被所有割合です。
6.「(その他の関係会社)」及び「(その他の関係会社の親会社)」については、企業会計基準適用指針第22号「連結財務諸表における子会社及び関連会社の範囲の決定に関する適用指針」(以下「日本基準」という。)第24項の規定を適用の上記載しております。その結果、当社議決権の25.92%を所有するBCPE Pangea Cayman, L.P.は、「財務諸表等の用語、様式及び作成方法に関する規則」(昭和38年大蔵省令第59号)(以下「財務諸表等規則」という。)に基づくその他の関係会社には該当しません。なお、当社が採用するIFRSにおける当社の最終的な支配当事者はBain Capital Investors LLCです。
当社グループはメモリ事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しています。
(1)連結会社の状況
2024年10月31日現在 |
従業員数(名) |
|
(注)1.従業員数は、正規従業員及び期間の定めのある雇用契約に基づく労働者のうち1年以上働いている又は働くことが見込まれる従業員(当社グループからグループ外への出向者を除き、グループ外から当社グループへの出向者を含む。)の合計数です。
2.臨時従業員数(パート・アルバイトを含む。)は、従業員数の100分の10未満であるため、記載を省略しております。
(2)提出会社の状況
|
|
|
2024年10月31日現在 |
従業員数(名) |
平均年齢(歳) |
平均勤続年数(年) |
平均年間給与(円) |
|
|
|
|
(注)1.従業員数は、正規従業員及び期間の定めのある雇用契約に基づく労働者のうち1年以上働いている又は働くことが見込まれる従業員(当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含む。)の合計数です。
2.平均勤続年数は東芝グループでの勤続年数を通算しております。
3.平均年間給与の金額には、賞与及び基準外賃金が含まれます。
4.執行役員につきましては、従業員数に含まれておりません。
5.臨時従業員数(パート・アルバイトを含む。)は、従業員数の100分の10未満であるため、記載を省略しております。
(3)労働組合の状況
当社には労働組合はありませんが、キオクシア株式会社からの出向者は、キオクシア労働組合に加入しております。キオクシア株式会社の従業員は、キオクシア労働組合に加入しており、2024年10月末時点の組合員数は、9,028名です。なお、労使関係は安定しており、特に記載すべき事項はありません。
(4)女性活躍推進法等(注1)に基づく提出会社及び連結子会社の公表状況
① 提出会社
該当事項はありません。(注2)
② 連結子会社(注3)
最近事業年度 |
|||||
国内連結子会社 |
管理職に占める女性労働者の割合(%) (注4) |
男性労働者の育児休業等取得率 (%) (注5) |
労働者の男女の賃金の差異(%) (注4) |
||
全従業員 |
正規従業員 (注6) |
非正規従業員 (注7) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(注)1.「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律」(平成27年法律第64号)(以下「女性活躍推進法」という。)及び「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律」(平成3年法律第76号)(以下「育児・介護休業法」という。)を、総称して「女性活躍推進法等」と記載しています。
2.当社の従業員数は法定開示が求められる101名以上ですが、常時雇用する労働者数は1,000名以下であること、また、直接雇用関係のある従業員数は101名を下回っていることから、女性活躍推進法等所定の公表を行っておりません。
3.国内グループ会社のみ。女性活躍推進法等に基づく公表義務の対象外となる海外グループ会社の記載を省略しています。
4.女性活躍推進法の規定に基づき算出したものです。
5.育児・介護休業法の規定に基づき、「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律施行規則」(平成3年労働省令第25号)第71条の4第1号における育児休業等の取得割合を算出したものです。
6.出向者については、当該連結子会社からグループ内他社への出向者を含み、当該連結子会社からグループ外他社への出向者及び他社から当該連結子会社への出向者を除きます。
7.期間の定めのある雇用契約に基づく労働者のうち1年以上働いている又は働くことが見込まれる従業員の合計数です。